壓電雙晶片由多層壓電陶瓷共燒而成,可獨立控制每層陶瓷的驅動電壓。壓電雙晶片的自由端可以彎曲 產(chǎn)生位移,位移的幅度和方向與施加的電壓具有函數(shù)關系。
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參數(shù) |
數(shù)值 |
單位 |
公差 |
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運動軸 |
Z |
- |
- |
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最大位移 |
±28 |
μm |
±15% |
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遲滯 |
<15% |
- |
- |
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負載 |
1.5 |
N |
最大值 |
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驅動電壓 |
0 - 150 |
V |
- |
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諧振頻率 |
13.1 |
kHz |
最大值 |
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介電損耗 |
<2.0% |
- |
- |
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電容 |
840（單側） |
nF |
±15% |
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工作溫度范圍 |
-25~130 |
℃ |
- |
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電極 |
未明確 |
- |
- |
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電纜長度 |
75 |
mm |
±5mm |
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居里溫度 |
230 |
℃ |
- |
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外觀尺寸 A |
20 |
mm |
±0.5mm |
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外觀尺寸 B |
4 |
mm |
±0.1mm |
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外觀尺寸 L |
1.2 |
mm |
±0.1mm |
根據(jù)環(huán)形雙晶片致動器的不同應用場景,我們可以為您在性能參數(shù)和結構形狀上提供產(chǎn)品定制。
驅動電壓：常見 100V、120V、150V 等，特殊最大驅動電壓可按需定制。
輸出位移：最大位移行程可選 30μm。
工作頻率：最高驅動頻率 20kHz，超高頻場景可定制更高頻率。
焊接線束：滿足 AWG 標準時可選配，焊點位置可在性能誤差范圍內(nèi)選擇。
外形尺寸：外徑最小 8mm、最大 30mm；內(nèi)徑最小 1mm、最大 10mm；厚度最大 2mm 可定制。
